热心网友
回答时间：2025-01-14 17:20
电力场效应管（MOSFET）的基本特性可以分为静态特性和动态特性。静态特性主要涉及漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系，即MOSFET的转移特性。在静态特性中，当ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。此外，MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）可以分为三个区域：截止区、饱和区和非饱和区，分别对应于GTR的截止区、放大区和饱和区。MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。在漏源极之间存在寄生二极管，当漏源极间加反向电压时，该二极管导通。通态电阻具有正温度系数，有利于器件并联时的均流。
动态特性主要涉及MOSFET的开通和关断过程。在开通过程中，存在开通延迟时间td(on)、上升时间tr和开通时间ton（开通延迟时间与上升时间之和）。在关断过程中，存在关断延迟时间td(off)、下降时间tf和关断时间toff（关断延迟时间和下降时间之和）。MOSFET的开关速度与其内部的电容Cin充放电过程有很大关系，降低驱动电路内阻Rs可以减小时间常数，从而加快开关速度。MOSFET不存在少子储存效应，因此关断过程非常迅速。开关时间通常在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。在静态时，MOSFET几乎不需输入电流，但在开关过程中仍需对输入电容充放电，因此仍需一定的驱动功率。随着开关频率的提高，所需的驱动功率也会增大。
电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称电力MOSFET（Power MOSFET），结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。
本文如未解决您的问题请添加抖音号：51dongshi（抖音搜索懂视），直接咨询即可。
