EM98G LM 386N-1芯片是干什么用的？具体点

LM386是功放芯片，是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20，透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配，增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源，输入电压范围可由4V~12V，无作动时仅消耗4mA电流，且失真低。表1为其电气特性。

    各个脚作用如下：

    1—增益设定；2—反向输入；3—正向输入；4—GND；5—Vout 输出；6—+电源；7—旁路；8—增益设定。

    接法见图。

LM386电气参数

极限参数：

电源电压

（LM386N-1，-3，LM386M-1）15V 

电源电压（LM386N-4）22V 

封装耗散 

（LM386N）1.25W 

（LM386M）0.73W 

（LM386MM-1）0.595W 

输入电压±0.4V 

储存温度-65℃至+150℃ 

操作温度0℃至+70℃ 

结温+150℃ 

焊接信息

焊接（10秒）260℃

小外形封装（SOIC和MSOP） 

气相（60秒）215℃

红外（15秒）220℃

热电阻

qJC （DIP）37℃/W

qJA （DIP）107℃/W

qJC （SO封装）35℃/W

qJA （SO封装）172℃/W

qJA （MSOP封装）210℃/W

qJC （MSOP封装）56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数 测试条件 最小  典型  最大  单位  

Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压 　 -    - 

LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1  4   - 12 V 

LM386N-4 5   - 18 V 

Quiescent Current (IQ) 静态电流  VS = 6V, VIN =0    4 8 mA 

Output Power (POUT) 输出功率 -   - 

LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1 VS = 6V, RL =8W, THD = 10% 250 325 - mW 

LM386N-3 VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700 -   mW 

LM386N-4 VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 -   mW 

Voltage Gain (AV) 电压增益 VS = 6V, f = 1 kHz    26 -   dB 

10 μF from Pin 1 to 8    46 -   dB 

Bandwidth (BW) 宽带 VS = 6V, Pins 1 and 8 Open    300 -   kHz 

Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真 VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open -   0.2 -   % 

Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比 VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output -   50 -   dB 

Input Resistance (RIN) 输入电阻 - -  50 -   kΩ 

Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流 VS = 6V, Pins 2 and 3 Open -  250 -  nA

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