热心网友
回答时间：2023-08-26 12:38
ITO靶材主要有四种成型方法
真空热压--真空热压法是利用热能和机械能使陶瓷材料致密化的工艺,可生产密度为91%~96%的高密度ITO陶瓷靶材.过程如下:加热模具,加入样品,将模型固定在加热板上(控制熔化温度和时间),然后将样品熔化、硬化、冷却,最后就可以取出成品了出去.
热等静压--热等静压 (HIP)可以认为是加压烧结或高温压制.与传统的无压烧结相比,热等静压法可以在较低的温度下(一般为材料熔点的0.5~0.7倍左右)使材料完全致密.它可以很好地控制结构,抑制晶粒长大并获得均匀、各向同性的结构.热等静压制备ITO靶材的过程如下.首先,将ITO固溶体粉末在一定的还原气氛(如H2、N2和H2的混合物)和300~500℃的温度下进行部分还原.然后,通过模塑或冷等静压将还原的粉末压制成预制件.预制件被放置在不锈钢容器中,它们之间有绝缘材料.然后将容器抽真空并密封.最后,将容器放入800~1050℃、50~200MPa的热等静压炉中2~6小时,制备ITO靶材.
常温烧结--室温烧结是1990年代初期发展起来的一种靶材制备方法.它采用预压法(或浆液浇注法)制备高密度靶材预制件,然后在一定气氛和温度下烧结.常压烧结法的主要工艺过程是:将In2O3粉体(具有一定振实密度)与SnO2粉体混合,制备成泥浆浇铸用的料浆.然后在300~500℃的温度下进行长时间的脱水脱脂处理,最后在纯氧或空气气氛下,在1个大气压以上的压力下进行烧结,烧结温度为1450 至 1550 °C.
冷等静压--冷等静压(CIP)在常温下以橡胶或塑料为覆盖模具材料,以液体为压力介质传递超高压.在低压氧气氛的保护下,将ITO粉体通过冷等静压压制成大型陶瓷预制棒,然后在0.1~0.9 MPa的纯氧环境中,在1500~1600℃的高温下烧结.这种方法理论上可以生产出密度为95%的陶瓷靶材.
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热心网友
回答时间：2023-08-26 12:38
ITO（氧化铟锡）靶材的制备通常包括混合原料、压制成型和烧结三个主要步骤。
1. 原料混合：将In2O3（氧化铟）和SnO2（氧化锡）粉末按照一定的比例混合均匀。通常，SnO2的质量分数约为原料总质量的5-10%。
2. 压制成型：将混合好的粉末放入模具中，通过高压（通常为几十到几百兆帕）将其压制成靶材的形状。这个过程通常需要在室温下进行，因此也被称为冷压成型。在某些情况下，也可以采用热压成型，即在高温下进行压制，可以提高靶材的密度和均匀性。
3. 烧结：将压制好的靶材放入高温炉中烧结。烧结的温度通常在1500-1700摄氏度之间，需要根据具体的原料和设备进行调整。烧结过程中，粉末之间的接触点会通过固相扩散或液相烧结等机制形成持久的结合，使靶材具有足够的强度和硬度。
以上是ITO靶材的一般制备流程，具体的工艺参数（如压制压力、烧结温度和时间等）可能需要根据具体的设备和原料进行优化。此外，为了提高靶材的性能，还可能需要在这个流程中加入一些额外的步骤，如研磨、均匀化处理、热处理等。
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