一、场效应管有几种类型
场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。
根据沟道材料类型和绝缘栅型,可分为N沟道和P沟道两种;按照导电方式,结型场效应管均为耗尽型,而绝缘栅型场效应管则包含耗尽型和增强型。
场效应晶体管可以进一步划分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,后者又细分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
二、如何选择场效应管
1、选择合适的沟道类型
在选择场效应晶体管时,第一步是确定使用N沟道还是P沟道。在典型的功率应用中,若场效应晶体管接地,负载连接到电源线上,应选择N沟道场效应晶体管,这是因为考虑到关闭或导通晶体管所需的电压。
2、确定场效应管的额定电流,并计算导通损耗
在实际应用中,场效应晶体管并非理想元件,因为导电过程中会产生电能损耗,这被称为导通损耗。当场效应晶体管处于“导通”状态时,类似于一个可变电阻,其导通电阻由RDS(ON)确定,且会随温度变化。
功率损耗可通过Iload2×RDS(ON)估算,而RDS(ON)会随电流微增。由于RDS(ON)电阻的电气参数变动可以在生产商提供的技术资料表中查询到。
3、确定热要求
在设计过程中,应考虑到最坏情况和真实情况。通常建议采用最坏情况的计算结果,以确保系统有足够的安全余量,防止系统失效。
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