场效应管,作为电子电路中的重要元件,其种类繁多,依据其结构特点,大致可以分为两大类:结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管。
结型场效应晶体管,是按照其内部结构特点进行分类的一种,它主要分为N沟道与P沟道两种类型。N沟道表示在接通电源时,电子(负电荷载子)流向形成导电路径,而P沟道则是空穴(正电荷载子)形成导电路径。
另一种更为常见的场效应管,即为绝缘栅型场效应晶体管,它的特征在于内部使用了金属、氧化物与半导体材料结合,形成了一种绝缘栅极。这种类型的场效应管,又可以进一步细分为MOS晶体管,且根据其工作特性,可以分为耗尽型与增强型两种。
MOS晶体管同样分为了N沟道与P沟道两大类型。N沟道MOS晶体管在接通电源时,电子(负电荷载子)形成导电路径;P沟道MOS晶体管则是在接通电源后,空穴(正电荷载子)形成导电路径。
综上所述,场效应管的分类主要依据其内部结构与工作原理进行划分,主要可以分为结型场效应晶体管与绝缘栅型场效应晶体管两大类。其中,结型场效应晶体管又细分为N沟道与P沟道;而绝缘栅型场效应晶体管则进一步细分为MOS晶体管,并根据工作特性分为耗尽型与增强型,N沟道与P沟道。
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